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Grant support

This work was supported by the European Community's Seventh Framework Programme FP7/2007-2013 under Project MIDAS Grant Agreement 242334, and by the Spanish National Research and Development Program under Project TEC2011-28683-C02-01 and Project TeraSense (Consolider-Ingenio 2010, CSD2008-00068).

Análisis de autorías institucional

Perez-Moreno, Carlos G.Autor o CoautorGrajal, JesusAutor o Coautor

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9 de junio de 2019
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Artículo
No

Physical Electro-Thermal Model for the Design of Schottky Diode-Based Circuits

Publicado en:Ieee Transactions On Terahertz Science And Technology. 4 (5): 597-604 - 2014-09-01 4(5), DOI: 10.1109/TTHZ.2014.2337655

Autores: Pérez-Moreno, CG; Grajal, J

Afiliaciones

Tech Univ Madrid, Signal Syst & Radiocommun Dept, ETSI Telecomunicac, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor

Resumen

Thermal management has become an important issue in the design of Schottky diode-based circuits for high power applications. This work presents a physics-based numerical electro-thermal model for Schottky diodes capable of evaluating the thermal effects on the electrical performance of devices and circuits. The advantages of this model are the inclusion of temperature-dependent material parameters, the capability to calculate internal temperature distributions, and the identification of regions where heat is generated, providing useful information for device design and circuit reliability. The developed electro-thermal model is integrated into a circuit simulator in order to provide a tool which can be used to analyze, design and optimize Schottky diode-based circuits for high power operation. This tool has been validated with a 200 GHz doubler from the Jet Propulsion Laboratory (JPL-NASA). A better agreement with measurement results at high input powers is obtained with our model compared with other previous models reported in the literature due to the self-consistent implementation of the temperature-dependency of physical parameters like electron mobility and saturation velocity.

Palabras clave

BandDevicesFrequency-multipliersGhzHeat-generationPhysical electro-thermal modelPowerSchottky diodeSelf-heatingThermal managementThermal resistanceWave

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista Ieee Transactions On Terahertz Science And Technology debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2014, se encontraba en la posición 54/248, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Engineering, Electrical & Electronic.

Desde una perspectiva relativa, y atendiendo al indicador del impacto normalizado calculado a partir del Field Citation Ratio (FCR) de la fuente Dimensions, arroja un valor de: 5.65, lo que indica que, de manera comparada con trabajos en la misma disciplina y en el mismo año de publicación, lo ubica como trabajo citado por encima de la media. (fuente consultada: Dimensions Sep 2025)

De manera concreta y atendiendo a las diferentes agencias de indexación, el trabajo ha acumulado, hasta la fecha 2025-09-25, el siguiente número de citas:

  • WoS: 19
  • Scopus: 24
  • Google Scholar: 24

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-09-25:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 35 (PlumX).

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (PEREZ MORENO, CARLOS GUSTAVO) y Último Autor (GRAJAL DE LA FUENTE, JESUS).